نتایج جستجو برای: آلایش نیم رسانا
تعداد نتایج: 8469 فیلتر نتایج به سال:
چکیده ندارد.
هدف محققین دست یابی به ابر رسانایی در دمای اتاق است که با اعمال فشار و تغییر در استوکیومتری در یک خانواده از ابر رسانا های دمای بالا? در صدد افزایش دمای گذار می باشند. هم چنین با اعمال نا خالصی به ابر رسانا می توان خواص آن را تغییر داد. پس از کشف ابر رسانا های دمای بالا? سعی بر آن شد که به روش های مختلف چگالی جریان بحرانی ترکیبات افزایش یابد. یکی از این روش ها، آلایش ابر رسانا ها با نانو ذرات ا...
اکسیدهای شفاف رسانا (tcos) دارای خواص ترکیبی رسانایی شبیه فلزات و شفافیت اپتیکی در ناحیه¬ی مرئی می¬باشند. tcosمعمولا نیم رسانا¬های اکسیدی مانند اکسیدروی (zno) دارای باند گاف پهن و خواص اپتوالکتریکی مناسب می باشند، که به دلیل خواص و عملکرد منحصر به فردشان در نمایشگرهای صفحه تخت، ابزارهای فوتوالکتریک، دیودهای گسیل¬کننده¬ی نور، سنسورهای گازی، تجهیزات پزشکی درمانی و غیره بکار می روند. اضافه کردن نا...
در این پایان نامه اثر اندازه بر خواص لیزرهای نقطه ی کوانتومی مخروطی ـ شکل inas/gaas با لایه¬ی خیس بررسی شد. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره¬گیری از تقریب جرم موثر، معادله¬ی تک نواری شرودینگر برای دو دسته نقطه¬ی کوآنتومی مخروطی ـ شکل با لایه ی خیس حل و توابع موج و ترازهای انرژی پایه، برانگیخته¬ی اول و برانگیخته ی دوم (تراز لایه ی خیس) به دست آمدند. سپس با استفاده از تابع موج ...
در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد...
در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفت شدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...
لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...
استانین، یک نانوساختار دو بعدی از اتم های Sn، دارای ساختار لانه زنبوری می باشد. بر هم کنش اسپین-مدار ذاتی قوی استانین، موجب ایجاد شکاف انرژی تا حدود 0.07 الکترون ولت در ساختار نواری آن می شود. در این پژوهش، ویژگی های الکترونی نانونوارهای استانینی لبه زیگزاگ با مدل تنگ بست و روش تابع گرین در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی را بررسی می نماییم. در حضور میدان الکتریکی عمودی، در نانونوارهای استان...
تا به حال نانوذرات فلزی به روش های متفاوتی تولید شده اند. در این پایان نامه روش جدیدی برای تولید نانوذرات آلیاژی بر روی زیر لایه شیشه با استفاده از پلاسمای هیدروژنی در دمایی بسیار پایین تر از دمای نقطه ذوب حالت کپه ای ماده یا مواد مورد آزمایش ارائه شده است.تولید نانوذرات در سه مرحله تمیز کردن زیرلایه، لایه نشانی و رشد نانوذرات آلیاژی در دستگاه "لایه نشانی بخار شیمیایی بهبود یافته با پلاسما" انج...
اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید