ساخت فوتوکاتد csi و اندازه گیری فوتوالکترون های آن

در این تحقیق یک لایه از بلور csi با ضخامت تقریبی 500nm بر روی یک زیر لایه آلومینیومی که به صورت مقعر ساخته شده است، لایه نشانی شد. این لایه نشانی با استفاده از روش تبخیر بخار فیزیکی انجام گرفت. زیر لایه تا دمای 60 درجه گرم شد. برای اندازه گیری آهنگ الکترون های ثانویه گسیل شده از فوتوکاتد آماده شده، مجموعه شامل ، محفظه خلا با فشار ده به توان منفی شش میلی بار ، نانو امپر متر، توری، فوتودایود ها، و دیگروسایل مورد نیاز می باشد. جریان فوتوالکترون های باز تابی از روی فوتوکاتدcsi برای سه طیف مختلف نورهای قرمز سبز و آبی مایل به بنفش که از چشمه های led تولید شده، اندازه گیری شده است. مشاهده می شود که برای رنگ آبی مایل به بنفش در 800 ولت، جریان فوتوکاتد به 100 نانو آمپر می رسد. عدم قطعیت و خطاها از چشمه های مختلف کمتر از 25 درصد است.