در این تحقیق، خواص نوری و الکترونی فولرن -پلیمرهای ناهمسان به عنوان مدلی برای سلول های خورشیدی آلی در فاز گازی و حلال مورد بررسی قرار گرفت. پلیمرهای(2d( (1d)و (3d) به عنوان دهنده و c60، c70، pc60bm و pc60be به عنوان پذیرنده استفاده گردیدند. در این مطالعه سطوح انرژی، شکاف homo-lumo و انرژی بازآرایی توسط نظریه تابعیت چگالی (dft) بدست آمدند. نظریه dft وابسته به زمان (tddft) برای محاسبه خواص نوری آ...

در این تحقیق تجربی ریخت شناسی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار اکسید مس خالص (cuo) و ساختار پیوندگاهی ناهمگون cuo/zno:al رشد داده شده به روش افشانه تجزیه حرارتی را مورد بررسی قرار داده¬ایم. برای مشخصه یابی فیزیکی نمونه ها از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis و اندازه گیری جریان - ولتاژ و همچنین اثر سیبک استفاده کرد...

امروزه روش¬های کنترلی متنوعی برای افزایش بازده و هم¬چنین کاهش هزینه¬ی موتورهای القایی، پیشنهاد شده است که کنترل برداری یکی از این روش‏ها است. روش¬های مختلفی برای پیاده¬سازی کنترل برداری وجود دارد. یکی از به¬صرفه¬ترینِ این روش¬ها استفاده از مبدل‏های فرکانسی است. اوایل از مبدل¬های کلاسیک ac-dc-ac که از عناصر راکتیو برای ذخیره¬سازی انرژی بهره می¬گرفتند، استفاده می¬شد. وجود این عناصر راکتیو علاوه بر...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

ابتدا نانو ذرات پلی آنیلین را با استفاده از امواج فراصوت سنتز می کنیم سپس قطعات ساندویچی پیوند ناهمگن برموآلومینیوم فتالوسیانین وپلی آنیلین وقطعات تک لایه برمو آلومینیوم فتالوسیانین به روش زیرساخته می شوند. پس از تمیز کردن بستر پلی بروسیلیکان, ابتدا لایه ای از آلومینیوم به عنوان الکترود و با ضخامت 50±5 نانومتر از طریق لایه نشانی تبخیر گرمایی توسط تفنگ الکترونی در محفظه ای با فشار مناسب mbar 10...

در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهر...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...