با افزایش سرعت تولید داده‌ها، نیاز به پردازش، ذخیره‌سازی و تحلیل داده‌های حجیم روزبه‌روز در حال افزایش است. به‌تازگی دریاچه داده برای داده‌های ناساختیافته (با خصوصیت BASE) مطرح شده است. اما وجود داده‌های حساس ساخت‌یافته (با خصوصیت ACID) و داده‌های با حساسیت کمتر غیرساخت­یافته در داده‌های حجیم از طرفی باعث بروز مشکلاتی جدید در مدیریت داده‌های حجیم با استفاده از این روش‏ها شده است. در این مقاله ر...

تخمین کانال مسیر پایین رونده در سیستم MIMO حجیم یکی از چالش های نسل پنجم مخابرات بی سیم می باشد. روش کلاسیک برای اینکار استفاده از روشهای مبتنی بر داده های اموزشی است که منجر به کاهش نرخ ارسال اطلاعات می شود. برای حل این مشکل اخیرا از تخمین کور کانال استفاده شده است که در آن، با فرض معلوم بودن مقدار محو شدگی مقیاس بزرگ، مقدار بهره کانال  در سیستم MIMO حجیم چند کاربره تخمین زده شده است. در این م...

در این تحقیق، جذب گازهای 4ch، co، 2n، 2h و 2o بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) و نانولوله بور- سیلیکون (5,5) با استفاده از روش dft مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که جذب مولکول 4ch بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب ضعیف و بر سطح خارجی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون (5,5) جذب فیزیکی با انرژی جذب متوسط م...

در این تحقیق جذب h_2 خالص و h_2 در مخلوط با گازهای ch_4 و?، n?_2 در نانولوله های سیلیکون-کربنی تک دیواره با روش شبیه سازی gcmc بررسی شده است. نانولوله های سیلیکون-کربنی تک دیواره (8 و8)، (9 و9)، (15 و15) و (22 و22) با قطرهای مختلف از 429/1 تا 929/3 نانومتر، در 4 دمای 15/77 ، 15/133، 15/177 و 15/298 کلوین و در فشارهای 15- 1/0 مگاپاسکال انتخاب شدند. در بررسی اثر دما، فشار و اندازه تخلخل در این نا...

فرآیند لیتوگرافی، یکی از اساسی ترین و پرهزینه ترین مراحل در ساخت مدارهای تجمعی است . در مقایسه با سایر فرآیندهای ساخت مدارهای تجسمی مثل : اکسیداسیون، ناخالص سازی و فلزگذاری که تحقیقاتی هم در زمینه شبیه سازی کامپیوتری این فرآیندها و هم در زمینه آزمایش عملی آنها با تکنیک های موجود در کشور انجام پذیرفته است ، در مورد لیتوگرافی هیچ تحقیق سازمان یافته و مشخصی که به جزئیات این فرآیند بپردازد، انجام ن...

در این تحقیق، سیلیکون متخلخل به روش نوین حکاکی ترکیبی شیمیایی و الکتروشیمیایی سنتز شد و تغییرات خواص اپتیکی و ساختاری بر اساس درجه تخلخل نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. در این روش سطح زیر لایه های سیلیکونی ابتدا توسط روش اچینگ شیمیایی به مدت Td (زمان تاخیر) آماده سازی گردید. سپس در روش اچینگ الکتروشیمیایی حفره‌های اولیه تولید شده در مرحله قبل، امتداد یافته و سیلیکون متخلخل یکنواختی ای...

به منظور تعیین درصد کاهش عملکرد غده در اثر خسارت شبیه­سازی شده تگرگ از طریق تخریب اندام ­های هوایی بوته ­ها در مراحل مختلف رشد سیب ­زمینی رقم آگریا، آزمایشی در ایستگاه تحقیقات کشاورزی و منابع طبیعی اردبیل در سال 1389 بر اساس طرح آماری فاکتوریل بر پایه بلوک­ های کامل تصادفی با دو عامل در چهار تکرار اجرا گردید. عامل اول شامل شش سطح درصد تخریب اندام­ های هوایی بوته ­ها (0، 20، 40، 60، 80 و 100 درص...

در این پژوهش، اثر مقدار پخت بر خواص رئولوژیکی و تورم نوعی لاستیک سیلیکون آمیزه‌سازی شده با عامل پخت بیس­(۲،۴-­دی­ کلرو­بنزوئیل­)­ پراکسید بررسی شده است. بدین منظور، ابتدا مقدار عامل شبکه‌ای‌کننده، دما و زمان پخت بهینه معین شد. سپس با کنترل زمان، درصدهای متفاوت پخت شامل ۰، نقطه ژل، ۵، ۱۵، ۳۰ ، ۶۰ و %۱۰۰ معین و نمونه‌های مدنظر تهیه شدند. برای تعیین زمان مورد نیاز برای دستیابی به درصد معینی از پخت...

سیلیکون یکی از مهم ترین مواد نیمه رسانا است که در مورد آن تحقیقات بسیار زیادی صورت گرفته و در حال حاضر نیز در حال انجام است. یکی از موضوعات جالب در این خصوص تغییر خصوصیات سطحی سیلیکون به منظور بدست آوردن کاربرد های متفاوت از این ماده است. در این راه ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون با استفاده از لیزر در حضور گازهای هالوژن دار از موضوعات مطرح شده در سال های اخیر است. در این کار ما با استفاد...

سلول های خورشیدی بر پایه ی سیلیکون بلوری بدلیل بازده زیاد و سادگی طراحی و ساخت همچنان از پرکاربردترین روش های ساخت سلول های خورشیدی می باشند. در این پایان نامه شبیه سازی پنج مدل از سلول خورشیدی سیلیکونی بدون لایه ی غیرفعال و با غیرفعال سازی لایه ی پشتی بوسیله ی لایه ی نازکی از سیلیکون کربید بی شکل (a-sic)، سیلیکون بی شکل و دی اکسید سیلیکون انجام شده و مشخصه های آن محاسبه و مورد مقایسه و بررسی ق...