در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

در این پژوهش فرایندهای تونل زنی وابسته به اسپین الکترون ها را از ساختارهای نامتجانس مغناطیسی به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا/فرومغناطیس مورد بررسی قرار داده و تاثیر دو برهم کنش اسپین- مدار درسل هاس و راشبا را به طور جداگانه بر این فرایندها به دست آورده ایم. سپس این دو برهم کنش اسپین- مدار را در یک ساختار مرکب به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا (با برهم کنش درسل هاس)/نیمرسانا(با برهم کنش راشبا)/فرومغناطیس ...

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...

در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل ...

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...

برای تحلیل و توصیف رفتار حالتهای الکترونی نانو سیم های کوانتومی در حضور ناخالصی هیدروژنی در فصل مشترک ساختارهای چند لایه ای مواد نیمه رسانا که فاقد تقارن وارونگی ساختاری هستند ، با تقریب خوبی می توان از هامیلتونی یک سیم شبه یک بعدی در حضور اتم هیدروژن و اثر اسپین – مدار راشبا استفاده کرد. سطحهای انرژی و همچنین ویژه حالتهای وابسته به اسپین ، از معادله تک الکترونی شرودینگر و به صورت تحلیلی بدست م...

در این پایان نامه اثر جفت شدگی اسپین مدار کنه -مله را در اتصال گرافین نرمال /سد با حضور جفت شدگی اسپین مدار /گرافین نرمال بررسی می کنیم.رسانش و ضرایب عبور بوسیله ی فرمول بندی لاندائور بوتیکر محاسبه می شوند .ما نشان می دهیم که رسانش بار این اتصال با طول ناحیه ی میانی -سد-نوسان می کند همچنین جفت شدگی اسپین مدار کنه مله بر خلاف جفت شدگی اسپین مدار راشبا روی ترابرد اسپینی تاثیری ندارد.

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

هدف این رساله مطالعه ی پدیده ی چگالش بوز-انیشتین در اتم های فراسرد در حضور میدان های پیمانه ای مصنوعی است. در قسمت اول‏، گازی از اتم های بوزونی بدون برهم کنش را در تله ی حقلوی شبه دوبعدی در نظر گرفته و با استفاده از رهیافت نیمه کلاسیکی به تحقیق امکان چگالش در آن پرداخته ایم. سپس جفت شدگی اسپین-مدار راشبا و درسل هاس با سهم های مساوی و نیز میدان زیمان خارجی را به عنوان میدان های پیمانه ای مصنوعی ...