چنانچه در نمونه گیری، داده ها با احتمالی متناسب با اندازه انتخاب شوند، داده های حاصل را در طول-اریب نامند. برآورد ناپارامتری تابع چگالی با استفاده از داده های در طول-اریب، مشکلتر از سایر حالات است. یکی از برآوردگرهای معروف در این زمینه توسط جونز (1991) معرفی شده است. در این مقاله ابتدا پارامتر پهنای باند این برآوردگر با رهیافت بیزی برآورد می شود. سپس سازگاری قوی آن با به کار بردن پهنای باند برآ...

در این مقاله از دو روش تبدیل موجک و روش هسته با پهنای باند تطبیقی به‌عنوان دو رویکرد متفاوت در فرایند افزایش مقیاس پارامترهای ژئومکانیکی مخزن استفاده شده است. ژئومکانیک در زمینه نفتی به بررسی پارامترهای مقاومت فشاری تک‌محوری، مدول یانگ، مدول بالک و مدول برشی برای تعیین کیفیت سنگ مخزن و سنگ پوش و همچنین تاثیر مقاومت سنگ و تنش بر رفتار سازندها در نتیجه فعالیت‌های نفتی می‌پردازد. با استفاده از نگا...

در این مطالعه، به بررسی تاثیر زیرساخت پهنای باند که اینترنت پرسرعت را امکان پذیر می سازد، بر رشد اقتصادی کشورهای در حال توسعه پرداختیم. بدین منظور از داده های تابلویی دو گروه کشورهای در حال توسعه که بر اساس دو معیار مختلف، جهت معرفی پهنای باند در آن ها انتخاب شدند و دوره زمانی 1999 الی 2008 استفاده شد. در این راه، با بکارگیری رهیافت متغیر ابزاری، درحالیکه تفاوت سقف منحنی انتشار پهنای باند میان ...

در این پروژه یک روش برای افزایش پهنای باند آنتن های مایکرواستریپ و در عین حال کاهش ابعاد آنها ارائه شده است . عاملی که تقریبا همواره پهنای باند آنتن را محدود می نماید رفتار امپدانسی آن است . دو روش معمول برای افزایش پهنای باند آنتن های مذکور، قرار دادن چندالمان تشعشعی (پچ) که به صورت پارازیتی به پچ اولیه کوپل شده اند و استفاده از صفحه اتصال کوتاه (یا پین های اتصال کوتاه) میان پچ اولیه و صفحه زم...

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

در این مقاله یک آنتن شکافی مایکرواستریپی چاپی جدید با خاصیت پلاریزاسیون دایروی و تغذیه شده با خط CPW طراحی، تحلیل و شبیه سازی شده است. ساختار آنتن شکافی پیشنهادی از یک پچ پله ای شکل اصلاح شده و صفحه زمین مربعی که درون آن یک شکاف پله-ای واقع شده ترکیب بندی شده است. با استفاده از پچ پله ای و صفحه زمین مربعی اصلاح شده، رزونانس های اضافی دیگری تحریک شده و پهنای باند امپدانس وسیعی مخصوصا در باند بال...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...